Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Моллаев А$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 6
Представлено документи з 1 до 6
|
1. |
Хейфец О. Л. Влияние высоких давлений на электрические свойства сегнетоэлектриков AgPbSbSe3, CuSnAsSe3, CuSnSbSe3, AgSnSbSe3 и CuSnSbS3 [Електронний ресурс] / О. Л. Хейфец, Н. В. Мельникова, А. Ю. Моллаев, Л. А. Сайпулаева, С. Н. Каллаев, Р. М. Ферзалиев, А. Г. Алибеков, А. Н. Бабушкин // Физика и техника высоких давлений. - 2009. - Т. 19, № 4. - С. 26-35. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhTVD_2009_19_4_4 Исследованы электрические свойства под давлением 15 - 45 ГПа кристаллических халькогенидов AgPbSbSe3, CuSnAsSe3, CuSnSbSe3, AgSnSbSe3 и CuSnSbS3. Обнаружены области существования в соединениях фазовых переходов. Проведено сравнение свойств исследованных соединений со свойствами аналогичных материалов.
| 2. |
Моллаев А. Ю. Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении [Електронний ресурс] / А. Ю. Моллаев // Физика и техника высоких давлений. - 2009. - Т. 19, № 1. - С. 171-181. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhTVD_2009_19_1_20 На базовых образцах CdGeAs2, CdGeP2 и высокотемпературных ферромагнитных полупроводниках <$E {roman Cd} sub 1-x {roman Mn} sub x roman GeAs sub 2>, <$E {roman Cd} sub 1-x {roman Cr} sub x roman GeAs sub 2> и <$E {roman Cd} sub 1-x {roman Mn} sub x roman GeP sub 2> в аппарате высокого давления типа "тороид" измерены барические (до 9 ГПа) и температурные зависимости удельного электросопротивления <$E rho>, коэффициента Холла <$E R sub H> при 77 - 400 К.
| 3. |
Моллаев А. Ю. Влияние процентного содержания марганца на характеристические точки и параметры фазового перехода на шкале высоких давлений в p-CdGeAs2:Mn [Електронний ресурс] / А. Ю. Моллаев, И. К. Камилов, Р. К. Арсланов, У. З. Залибеков, В. М. Новоторцев, С. Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. - 2009. - Т. 19, № 2. - С. 88-93. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhTVD_2009_19_2_13 В новом высокотемпературном ферромагнитном полупроводнике <$E p - {roman Cd} sub 1-x {roman Mn} sub x roman GeAs sub 2> (x = 0 - 0,36) в области комнатных температур измерены барические зависимости удельного электросопротивления <$E rho> и коэффициента Холла RH. На зависимостях <$E rho (P)> и <$E R sub H (P)> обнаружены структурные фазовые переходы, положения которых сдвигаются в сторону низких давлений с увеличением процентного содержания марганца от 5,9 ГПа на образце CdGeAs2 до 4,8 ГПа на p-Cd0,64Mn0,36GeAs2. На зависимостях <$E R sub H (P)> кристаллов с большим (<$E x~symbol У~0,18>) процентным содержанием марганца обнаружены аномалии, что, вероятно, обусловлено магнитными свойствами или наличием примесных центров.
| 4. |
Моллаев А. Ю. Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением [Електронний ресурс] / А. Ю. Моллаев, И. К. Камилов, Р. К. Арсланов, У. З. Залибеков, Т. Р. Арсланов, В. М. Новоторцев, С. Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. - 2009. - Т. 19, № 2. - С. 99-102. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhTVD_2009_19_2_15
| 5. |
Моллаев А. Ю. Барические, температурные и магнитополевые зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd0.7Mn0.3GeAs2 [Електронний ресурс] / А. Ю. Моллаев, И. К. Камилов, Р. К. Арсланов, У. З. Залибеков, Т. Р. Арсланов, В. М. Новоторцев, С. Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. - 2009. - Т. 19, № 3. - С. 111-115. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhTVD_2009_19_3_12 Исследованы барические зависимости удельного электросопротивления <$E rho>, коэффициента Холла <$E R sub H> и поперечного магнитосопротивления <$E DELTA rho sub xx "/" rho sub 0> в магнитных полях <$E H~symbol Г~5> кЕ при подъеме и сбросе давления в области комнатных температур. Получены температурные зависимости <$E rho> и <$E R sub H> при атмосферном давлении в диапазоне температур 77 - 450 К в ферромагнитном полупроводнике Cd0,7Mn0,3GeAs2.
| 6. |
Моллаев А. Ю. Кинетические эффекты в ориентированных монокристаллах p-Cd94.7Mn5.3GeAs2 при высоких давлениях [Електронний ресурс] / А. Ю. Моллаев, И. К. Камилов, Р. К. Арсланов, У. З. Залибеков, Т. Р. Арсланов, В. М. Новоторцев, С. Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. - 2009. - Т. 19, № 3. - С. 116-119. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhTVD_2009_19_3_13 Исследованы монокристаллические образцы <$E p - roman {Cd sub 94,7 Mn sub 5,3 GeAs} sub 2>, ориентированные по двум кристаллографическим направлениям: [001] и [100]. Получены зависимости удельного электросопротивления <$E rho> и коэффициента Холла <$E R sub H> от гидростатического давления <$E P~symbol Г~7> ГПа при комнатной температуре. Экспериментально установлено, что точка фазового превращения не зависит от кристаллографического направления монокристаллов.
|
|
|